Modifications structurales et défauts ponctuels paramagnétiques induits par irradiation électronique externe de la hollandite Ba1.16Al2.32Ti5.68O16

Des matrices BaxCsy (M,Ti)8O16 (x+y<2, M cation trivalent) de type hollandite, sont envisagées pour confiner spécifiquement le césium radioactif. Afin de simuler l'effet des rayonnements b, les modifications structurales et les défauts ponctuels paramagnétiques produits par irradiation électronique externe à température proche de l'ambiante d'une hollandite de composition simplifiée sans césium Ba1,16Al2,32Ti5,68O16 ont été étudiés par RPE et RMN. Des modifications ont été observées au niveau de l'environnement des cations Al3+ et Ti4+, résultant de la formation de lacunes d'oxygène et d'un... Mehr ...

Verfasser: Caurant, D.
Aubin-Chevaldonnet, Virginie
Gourier, Didier
Charpentier, Thibault
Esnouf, Stéphane
Advocat, T.
Dokumenttyp: conferenceObject
Erscheinungsdatum: 2006
Verlag/Hrsg.: HAL CCSD
Schlagwörter: hollandite / césium / irradiation électronique / RPE / défauts paramagnétiques / RMN / [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] / [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry
Sprache: Französisch
Permalink: https://search.fid-benelux.de/Record/base-27124537
Datenquelle: BASE; Originalkatalog
Powered By: BASE
Link(s) : https://hal.science/hal-00172920

Des matrices BaxCsy (M,Ti)8O16 (x+y<2, M cation trivalent) de type hollandite, sont envisagées pour confiner spécifiquement le césium radioactif. Afin de simuler l'effet des rayonnements b, les modifications structurales et les défauts ponctuels paramagnétiques produits par irradiation électronique externe à température proche de l'ambiante d'une hollandite de composition simplifiée sans césium Ba1,16Al2,32Ti5,68O16 ont été étudiés par RPE et RMN. Des modifications ont été observées au niveau de l'environnement des cations Al3+ et Ti4+, résultant de la formation de lacunes d'oxygène et d'une augmentation du désordre dans les tunnels associée à des déplacements d'ions baryum. Des centres à électrons (Ti3+) et à trous électroniques (O2-) ont été observés. Ceux-ci sont relativement stables à température ambiante mais des recuits (traitements isochrones entre 50 et 800°C, traitements isothermes à 300°C) engendrent la formation d'autres défauts issus des défauts précédents correspondant à des ions Ti3+ de surface de type titanyl et des agrégats d'oxygène.